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ME8316
ME8316
产品名称 : ME8316
产品编号 : ME8316
价格:
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ME8316
详细描述:
一、 芯片介绍与注意事项
基本介绍
ME8316是一款隔离、高PF、高电流精度、单级恒流LED反激拓扑驱动电源控制芯片。主要针对50W以内 LED驱动而设计的一款高性能控制芯片。内部集成功率因素校正功能、通过恒定关断时间和工作在(DCM)断续模式中,可以达到很小的总谐波失真电流。而且不需要光耦和副边的控制电路就能实现输出恒流功能。 此芯片能够实现较高的输出电流调整精度和较高的电源整机效率。

1、芯片的主要特点
● 原边控制,无需光耦和副边控制电路
● 全电压范围内工作,恒流精度在+/-5%内
● 工作在断续模式中,高达50W的驱动能力
● 内置脉冲前沿消隐,逐周期电流控制
● 实现短路保护、过流保护、开路保护(自恢复功能)
● 内置软启动电路,过欠压保护、过温保护功能
● 输出电流和输出功率可调节




二、各脚的功能以及调试中注意事项
1.CS原边电流采样端
CS端是原边电流采样端,峰值电流检测阈值是2.3V左右, 当功率管打开时,过冲电流会产生高过冲电压在采样电阻上。为了避免开关误操作,内部产生一个 300ns 的空白期,关闭内部电流采样比较器,使得功率管不会被误操作而关闭。
输出电流计算公式:





NP:变压器初级绕组匝数
NS:变压器次级绕组匝数
VFB:芯片内部参考电压,恒定为410mV。
R4:DEMO板上采样电阻 (该电阻实际为R4并R4A)
2.VDD供电脚
该脚和STP连在一起。ME8316 的启动电流低至25uA,可有效地减少系统启动电路的损耗,减小待机功耗。启动阈值电压18V, 关断阈值电压6.7V。过压保护点在19.5V左右。建议计算VCC电压时,在最大输出电压下把辅助绕组电压设置在19.5V左右, VDD电容推荐为10uF。
3.DRV脚
该脚为驱动脚,可以驱动50W内的系统。驱动1nF电容上升时间在50ns左右,下降时间在30ns内。
4.GND 该脚和TM脚连在一起。芯片的电源接地脚,画PCB时注意与功率地分开布线。
5.COMP 该脚连接一个对地电容进行频率补偿,电容大小和PF成正比。
6.DSN
反馈电压输入端。DSE反馈阈值MAX电压为3.2V,画PCB时注意尽量远离功率地线。
最大输出电压计算公式:




NS: 变压器次级绕组匝数 R5: DSN外接上偏分压电阻
NA:变压器辅助绕组匝数 R6:DSN外接下偏分压电阻(假设为10K)
实际调试中下偏电阻上并连电容大小对输出短路和恒流精度有很大影响,建议取68-100PF。
负载调整率调试方法:可以参考DEMO应用图中电路,R15用1206-100欧两个,C4用1NF200V,C6不装。一般情况可以按DEMO清单制作,建议画PCB时留这几个元件的位置。
三、其他的注意事项
1)启动电阻阻值之和推荐是400-1000K左右,阻值的大小取决于低压时启动时间和最低启动电压、VCC电解大小等。
2)输出电流大小由R4的阻值来设置,成反比关系并且需要采用1%精度电阻。
3)输出电压的大小取决于DSE的采样电阻R5,R6来设置,均采用1%精度电阻。R5阻值大,输出电压大,反之小。
4)输出电压不稳时请在输出端加一定阻值的假负载,需要注意电阻功耗。
5)电源初次调试启动不良时,首先要检查变压器相位和绕组的计算是否正确,确认无误后检查线路连接是否正确、PCB布线是否正确合理等。
6)采样配比情况,当电源出现打嗝时,请检查 DSE采样配比。有可能是VCC触发欠压或过压所致,请调整DSE电阻值或者变压器匝比即可解决。
7)输出纹波大一般有以下几个原因 :
A、输出滤波电容的 ESR 太大。因为电源工作在非连续模式 ,次级的峰值电流很大所以输出电容的ESR 要尽量的小一些。
B、变压器初级电感量设计太小。适当加大初级主绕组的电感量或者匝数,可以降低初级的电流峰值,根据匝比的关系,次级峰值电流也会相应的减小。
8)低压满载不启动
当启动电阻太大 ,而 Vcc 的电容又很小时会出现此类现象。建议在满足启动时间和最大输出功率时,适当减小启动电阻和加大Vcc 电容。
9)限流点偏高或偏低是变压器初次级的匝数比不合理或电流采样电阻值不合适。
10)EMI 传导超标或余量不足
A.变压器绕组顺序是否正确
B.屏蔽层是否放置正确位置
C.屏蔽层的中点是否有接至初级的“冷点”
D.每个绕组的层数是否合理是否为紧绕或密绕
11)变压器啸叫:变压器最好是研磨气息并点胶固定,浸漆时要用真空法释放气泡并保证浸漆透彻,同时烘干工艺也要到位。还可以在初级电感量允许的范围内调整感值来消除噪声。
12)输出整流二极管的选择:
输出整流二极管首先考虑的是耐压问题。其最低耐压值应满足:





加上尖峰和考虑降额,需要在此基础上乘1.3或1.5,辅助供电绕组输出的二极管以此类推。
13)PCB设计注意事项
A、CS电阻的地尽量靠近芯片地,并且尽量粗。
B、三个干扰源:1)MOS漏极 2)输出整流二极管正极 3)VDD整流二极管正极
C、三个受扰源:1)DSN脚 2)CS脚 3)GND脚
D、干扰源的PCB铺铜面积尽量小,并且位置上尽量远离受扰源。
E、GND铺铜:尽量将初级GND大面积铺铜,芯片下面用GND或者VDD进行大面积铺铜。
F、AC输入端的EMI滤波电路中,两个工字电感不能紧靠在一起(它们之间的磁力线会相互干扰,造成批量有30% 左右EMI传导测试不过)。
G、控制芯片和电解电容尽量远离热源或者干扰源。
14)外围元件选择
A、芯片最大启动电流为50uA,在最低输入电压下,需要保证有足够的电流给VDD电容充电,启动电阻最好可以提供100uA电流。
B、C1应该选择630V耐压的CBB系列电容,对5W或者5W以上方案,容量应在47nF或者47nF以上。
C、DSE上、下偏电阻设置,可以先假定R6为10K后计算。
D、COMP脚对地电容:容量大小和PF成正比,建议取值尽量大在1uF左右。选用X7R材质电容,否则高温下PF会降低。
E、采样电阻:由于CS峰值电流检测电压高,所以该电阻最少选用1206的封装,需要考虑电阻功耗。对10W以上方案,需要2-8个电阻并连。
F、为提高稳定性,在DSE和GND之间加一个68-100pF NPO材质电容(100PF时可用X7R材质)。
G、变压器磁芯材料建议用PC40或者3C90系列的。
H、其它电容电阻类元件建议选择温度系数好和寿命长产品。



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